氮化硅膜的成膜方法和成膜装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110433909.2

申请日：

2011-12-21

公开(公告)号：

CN102560417A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

村上博纪渡边要介长谷部一秀

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C1644

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101502152866 IPC(主分类):C23C 16/34 专利申请号:2011104339092 申请日:20111221
2012-07-11	公开	公开
2017-12-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/34 申请公布日:20120711

共 50 条

[1]

氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜 [P].

安藤优汰 ;

猪狩晃 ;

森本直树 .

日本专利 :CN116802336B ,2025-11-21

[2]

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P].

渡边幸夫 ;

高藤哲也 ;

内田博章 ;

佐藤吉宏 .

中国专利 :CN114517289A ,2022-05-20

[3]

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P].

渡边幸夫 ;

高藤哲也 ;

内田博章 ;

佐藤吉宏 .

日本专利 :CN119685801A ,2025-03-25

[4]

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P].

加藤寿 ;

高桥豊 ;

久保万身 .

中国专利 :CN109385626A ,2019-02-26

[5]

氮化硅膜的成膜方法及成膜装置 [P].

加藤寿 .

中国专利 :CN110777357A ,2020-02-11

[6]

氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质 [P].

户根川大和 .

中国专利 :CN108930026B ,2018-12-04

[7]

氮化硅膜的成膜方法、有机电子器件的制造方法和氮化硅膜的成膜装置 [P].

石川拓 .

中国专利 :CN103403847A ,2013-11-20

[8]

氮化硼膜的成膜方法和成膜装置 [P].

千田翔太 ;

渡边要介 .

中国专利 :CN114807898A ,2022-07-29

[9]

成膜方法和成膜装置 [P].

田吹圭司 ;

大越显 ;

小川淳 .

日本专利 :CN121148996A ,2025-12-16

[10]

成膜方法和成膜装置 [P].

田吹圭司 ;

大越显 ;

小川淳 .

日本专利 :CN121148995A ,2025-12-16

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