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氮化硼膜的成膜方法和成膜装置

被引：0
申请号：
CN202210083799.X
申请日：
2022-01-19
公开(公告)号：
CN114807898A
公开(公告)日：
2022-07-29
发明(设计)人：
千田翔太 渡边要介
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
C23C1634
IPC分类号：
C23C1644
代理机构：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人：
刘新宇;李茂家
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-29 公开 公开
共 50 条
[1]
氮化硼膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
后藤一希 ;
加藤良裕 ;
酒井宗一朗 .
日本专利 :CN120119225A ,2025-06-10
[2]
氮化硼膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
酒井宗一朗 ;
后藤一希 ;
加藤良裕 .
日本专利 :CN120464983A ,2025-08-12
[3]
氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
村上博纪 ;
渡边要介 ;
长谷部一秀 .
中国专利 :CN102560417A ,2012-07-11
[4]
硼系膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
渡部佳优 ;
冈正浩 ;
李金望 ;
山本勇生 ;
上田博一 .
中国专利 :CN110318034A ,2019-10-11
[5]
锗膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
冈田充弘 .
中国专利 :CN105369212B ,2016-03-02
[6]
成膜方法和成膜装置 [P]. 
田吹圭司 ;
大越显 ;
小川淳 .
日本专利 :CN121148996A ,2025-12-16
[7]
成膜方法和成膜装置 [P]. 
田吹圭司 ;
大越显 ;
小川淳 .
日本专利 :CN121148995A ,2025-12-16
[8]
成膜方法和成膜装置 [P]. 
周保华 ;
梅泽好太 ;
渡边要介 ;
长谷川雅之 .
中国专利 :CN102242350B ,2011-11-16
[9]
非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
长谷部一秀 ;
村上博纪 ;
柿本明修 .
中国专利 :CN102234786A ,2011-11-09
[10]
非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
长谷部一秀 ;
村上博纪 ;
柿本明修 .
中国专利 :CN104278252A ,2015-01-14
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