碳化硅外延设备

被引：0

申请号：

CN202123346517.0

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN216514256U

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

杨龙吴会旺李召永白春杰李伟峰张国良袁肇耿薛宏伟

申请人：

申请人地址：

050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号

IPC主分类号：

C30B2516

IPC分类号：

C30B2512 C30B2936

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

张贵勤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅外延设备 [P].

傅林坚 ;

刘毅 ;

吴正闪 ;

朱亮 ;

曹建伟 .

中国专利 :CN221480160U ,2024-08-06

[2]

碳化硅外延生长设备 [P].

陈豪杰 ;

范谞 ;

余乐俊 ;

吕威 ;

周辜名 .

中国专利 :CN223496708U ,2025-10-31

[3]

碳化硅外延设备 [P].

刘永明 ;

王东兴 ;

周慧娟 .

中国专利 :CN120649150A ,2025-09-16

[4]

碳化硅外延设备 [P].

刘永明 ;

王东兴 ;

周慧娟 .

中国专利 :CN120649150B ,2025-10-28

[5]

碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法 [P].

刘兴昉 ;

杨尚宇 ;

闫果果 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN115852490B ,2025-08-29

[6]

一种碳化硅外延薄膜及碳化硅外延设备和方法 [P].

蔡清富 ;

李翠玲 ;

党帅 ;

肖陆军 .

中国专利 :CN119584615A ,2025-03-07

[7]

碳化硅外延生长设备 [P].

陈豪杰 ;

范谞 ;

余乐俊 ;

吕威 ;

周辜名 .

中国专利 :CN119392374A ,2025-02-07

[8]

碳化硅外延衬底 [P].

堀勉 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN208266305U ,2018-12-21

[9]

碳化硅外延衬底 [P].

堀勉 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN207091557U ,2018-03-13

[10]

碳化硅外延 [P].

P·阔德 .

中国专利 :CN103946953A ,2014-07-23

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