沉积敷形氮化硼膜

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180016315.X
申请日
2011-03-23
公开(公告)号
CN103119196B
公开(公告)日
2013-05-22
发明(设计)人
乔治·安德鲁·安东内利 曼迪亚姆·西里拉姆 维什瓦纳坦·兰加拉詹 普拉莫德·苏布拉莫尼姆
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
C23C1630
IPC分类号
C23C1650 C23C16455 H01L21205 C23C1644
代理机构
上海胜康律师事务所 31263
代理人
李献忠
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
使用肼基前体沉积氮化硼膜 [P]. 
C.德泽拉 ;
T.布兰夸特 .
中国专利 :CN115704091A ,2023-02-17
[2]
氮化硼和氮化硼导出材料的沉积方法 [P]. 
J-u·许 ;
M·巴尔塞努 ;
夏立群 ;
V·T·恩古耶 ;
D·R·威蒂 ;
H·M'塞德 .
中国专利 :CN101690420B ,2010-03-31
[3]
六方氮化硼沉积 [P]. 
沈泽清 ;
S·S·罗伊 ;
A·B·玛里克 .
美国专利 :CN118077030A ,2024-05-24
[4]
用于氮化硼膜的ALD沉积的含硼前体 [P]. 
R·N·维蒂斯 ;
金武性 ;
H·钱德拉 ;
雷新建 .
美国专利 :CN119213168A ,2024-12-27
[5]
用于沉积氮化硼的方法和系统 [P]. 
M·S·德阿布鲁内托 ;
J·全 ;
I·阿卜德拉奥伊 ;
T·布兰夸特 ;
R·H·J·沃乌尔特 .
:CN118186364A ,2024-06-14
[6]
氮化硼膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
后藤一希 ;
加藤良裕 ;
酒井宗一朗 .
日本专利 :CN120119225A ,2025-06-10
[7]
氮化硼膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
酒井宗一朗 ;
后藤一希 ;
加藤良裕 .
日本专利 :CN120464983A ,2025-08-12
[8]
氮化硼 [P]. 
L·N·鲁萨诺瓦 ;
A·G·罗马欣 ;
L·I·戈尔恰科瓦 ;
G·I·库里科瓦 ;
M·K·阿列克斯夫 .
中国专利 :CN1162297A ,1997-10-15
[9]
氮化硼与硼-氮化物衍生材料的沉积方法 [P]. 
米哈拉·鲍尔西努 ;
克里斯多佛·丹尼斯·本彻 ;
咏梅·陈 ;
伊萨贝丽塔·罗夫洛克斯 ;
夏立群 ;
德里克·R·维迪 ;
立岩·苗 ;
维克多·恩古源 .
中国专利 :CN102017081B ,2011-04-13
[10]
立方氮化硼压块 [P]. 
N·卡恩 ;
S·A·安德森 .
中国专利 :CN101084170A ,2007-12-05