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用于氮化硼膜的ALD沉积的含硼前体
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202380041061.X
申请日
:
2023-04-12
公开(公告)号
:
CN119213168A
公开(公告)日
:
2024-12-27
发明(设计)人
:
R·N·维蒂斯
金武性
H·钱德拉
雷新建
申请人
:
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址
:
美国亚利桑那州
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/34
C07F5/00
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
吴亦华;徐志明
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-11
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20230412
2024-12-27
公开
公开
共 50 条
[1]
使用肼基前体沉积氮化硼膜
[P].
C.德泽拉
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C.德泽拉
;
T.布兰夸特
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T.布兰夸特
.
中国专利
:CN115704091A
,2023-02-17
[2]
沉积敷形氮化硼膜
[P].
乔治·安德鲁·安东内利
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乔治·安德鲁·安东内利
;
曼迪亚姆·西里拉姆
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曼迪亚姆·西里拉姆
;
维什瓦纳坦·兰加拉詹
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维什瓦纳坦·兰加拉詹
;
普拉莫德·苏布拉莫尼姆
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普拉莫德·苏布拉莫尼姆
.
中国专利
:CN103119196B
,2013-05-22
[3]
用于沉积氮化硼的方法和系统
[P].
M·S·德阿布鲁内托
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
M·S·德阿布鲁内托
;
J·全
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
J·全
;
I·阿卜德拉奥伊
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
I·阿卜德拉奥伊
;
T·布兰夸特
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
T·布兰夸特
;
R·H·J·沃乌尔特
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
R·H·J·沃乌尔特
.
:CN118186364A
,2024-06-14
[4]
氮化硼和氮化硼导出材料的沉积方法
[P].
J-u·许
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J-u·许
;
M·巴尔塞努
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M·巴尔塞努
;
夏立群
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夏立群
;
V·T·恩古耶
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V·T·恩古耶
;
D·R·威蒂
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D·R·威蒂
;
H·M'塞德
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H·M'塞德
.
中国专利
:CN101690420B
,2010-03-31
[5]
掺杂的非晶氮化硼膜和用于使非晶氮化硼膜稳定的方法
[P].
慎镛宇
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
慎镛宇
;
阿里·哈姆扎
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
阿里·哈姆扎
;
V·拉奇维塔
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
V·拉奇维塔
.
韩国专利
:CN120511259A
,2025-08-19
[6]
烧结的氮化硼体以及制备烧结的氮化硼体的方法
[P].
R·K·格劳
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R·K·格劳
;
R·恩古蒙尼亚皮
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R·恩古蒙尼亚皮
;
H·J·施魏格尔
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H·J·施魏格尔
.
中国专利
:CN104671794A
,2015-06-03
[7]
立方氮化硼、制造立方氮化硼的方法、含有立方氮化硼的砂轮、和烧结立方氮化硼压制体
[P].
井原荣治
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井原荣治
;
柳泽泰州
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柳泽泰州
.
中国专利
:CN101362591B
,2009-02-11
[8]
六方氮化硼沉积
[P].
沈泽清
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
沈泽清
;
S·S·罗伊
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应用材料公司
应用材料公司
S·S·罗伊
;
A·B·玛里克
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
A·B·玛里克
.
美国专利
:CN118077030A
,2024-05-24
[9]
立方氮化硼、制造立方氮化硼的方法、含有立方氮化硼的砂轮、和烧结立方氮化硼压制体
[P].
井原荣治
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井原荣治
;
柳泽泰州
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柳泽泰州
.
中国专利
:CN1836022A
,2006-09-20
[10]
氮化硼及生产氮化硼的方法
[P].
纳拉扬·S·霍斯马内
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纳拉扬·S·霍斯马内
;
阿马特亚·扎克拉巴蒂
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阿马特亚·扎克拉巴蒂
;
谢娜·M·斯坦利
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谢娜·M·斯坦利
.
中国专利
:CN106414311A
,2017-02-15
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