基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510101332.3

申请日：

2015-03-06

公开(公告)号：

CN104681715B

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

陆小力张吉文许晟瑞张进成郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L4312

IPC分类号：

H01L4310

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-03	公开	公开
2017-06-13	授权	授权
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615757208 IPC(主分类):H01L 43/12 专利申请号:2015101013323 申请日:20150306

共 50 条

[1]

多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法 [P].

陆小力 ;

张吉文 ;

张春福 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN104692828B ,2015-06-10

[2]

超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法 [P].

陆小力 ;

张吉文 ;

张春福 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN104733292A ,2015-06-24

[3]

磁电复合薄膜及其制备方法 [P].

万建国 ;

刘俊明 ;

曾敏 ;

王广厚 .

中国专利 :CN1262514C ,2005-03-23

[4]

基于磁电复合薄膜的柔性磁场强度传感器 [P].

陆小力 ;

吴飞虎 ;

史泽堃 ;

王贺 ;

黄玉瑶 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN108574043A ,2018-09-25

[5]

一种柔性自支撑磁电复合薄膜及制备方法 [P].

刘明 ;

董国华 ;

徐旭 ;

彭斌 ;

赵亚楠 .

中国专利 :CN120435153A ,2025-08-05

[6]

四氧化三铁与钛酸铋掺镧复合磁电薄膜的制备方法 [P].

吴秀梅 ;

翟亚 ;

孙弘扬 ;

欧慧灵 .

中国专利 :CN102976746A ,2013-03-20

[7]

一种自支撑的三维自组装磁电复合薄膜结构及其制备方法 [P].

刘明 ;

王志广 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

杜琴 .

中国专利 :CN111446363B ,2020-07-24

[8]

自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法 [P].

徐洁 ;

张浩 ;

杨舒雅 ;

李昭君 .

中国专利 :CN112798992A ,2021-05-14

[9]

全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法 [P].

张铭 ;

李廷先 ;

王光明 ;

严辉 ;

宋雪梅 ;

王如志 ;

侯育冬 ;

朱满康 ;

汪浩 ;

王波 ;

李扩社 .

中国专利 :CN102071399A ,2011-05-25

[10]

一种磁电复合薄膜及其制备方法 [P].

朱婧 ;

门阔 ;

连紫薇 ;

魏峰 .

中国专利 :CN111349890A ,2020-06-30

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