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一种柔性自支撑磁电复合薄膜及制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510589396.6
申请日
:
2025-05-08
公开(公告)号
:
CN120435153A
公开(公告)日
:
2025-08-05
发明(设计)人
:
刘明
董国华
徐旭
彭斌
赵亚楠
申请人
:
西安交通大学
申请人地址
:
710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
IPC主分类号
:
H10K10/50
IPC分类号
:
C30B23/02
C30B29/22
C23C14/35
C23C14/20
H10K10/82
H10K85/10
H10K71/80
H10K71/12
代理机构
:
西安通大专利代理有限责任公司 61200
代理人
:
朱海临
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10K 10/50申请日:20250508
2025-08-05
公开
公开
共 50 条
[1]
磁电复合薄膜及其制备方法
[P].
万建国
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万建国
;
刘俊明
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刘俊明
;
曾敏
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曾敏
;
王广厚
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王广厚
.
中国专利
:CN1262514C
,2005-03-23
[2]
一种自偏置柔性磁电复合薄膜、传感器及其制备方法
[P].
徐洁
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徐洁
;
牟雪健
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牟雪健
;
张浩
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张浩
;
杨舒雅
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杨舒雅
;
张晨琰
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张晨琰
;
徐杰
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徐杰
.
中国专利
:CN113097376A
,2021-07-09
[3]
一种磁电复合薄膜及其制备方法
[P].
朱婧
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朱婧
;
门阔
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门阔
;
连紫薇
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连紫薇
;
魏峰
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魏峰
.
中国专利
:CN111349890A
,2020-06-30
[4]
一种磁电复合薄膜及其制备方法
[P].
董显林
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董显林
;
肖玲
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肖玲
;
陈莹
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陈莹
;
王根水
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王根水
;
刘振
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刘振
.
中国专利
:CN106567040A
,2017-04-19
[5]
基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法
[P].
陆小力
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陆小力
;
张吉文
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张吉文
;
许晟瑞
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许晟瑞
;
张进成
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张进成
;
郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN104681715B
,2015-06-03
[6]
一种无铅磁电复合薄膜及其制备方法
[P].
李浩然
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李浩然
;
郑仁奎
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郑仁奎
;
郑明
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郑明
;
李效民
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李效民
.
中国专利
:CN104451544A
,2015-03-25
[7]
一种磁电复合薄膜材料及其制备方法
[P].
连紫薇
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连紫薇
;
门阔
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门阔
;
朱婧
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朱婧
;
魏峰
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魏峰
.
中国专利
:CN111334766A
,2020-06-26
[8]
自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法
[P].
徐洁
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徐洁
;
张浩
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张浩
;
杨舒雅
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杨舒雅
;
李昭君
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0
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李昭君
.
中国专利
:CN112798992A
,2021-05-14
[9]
一种自支撑的三维自组装磁电复合薄膜结构及其制备方法
[P].
刘明
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刘明
;
王志广
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王志广
;
胡忠强
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胡忠强
;
周子尧
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周子尧
;
杜琴
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杜琴
.
中国专利
:CN111446363B
,2020-07-24
[10]
一种磁电复合薄膜的制备方法
[P].
不公告发明人
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不公告发明人
.
中国专利
:CN106637092A
,2017-05-10
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