PMOS晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410301930.0

申请日：

2014-06-27

公开(公告)号：

CN105206530A

公开(公告)日：

2015-12-30

发明(设计)人：

刘佳磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴圳添;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643920503 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014103019300 申请日:20140627
2015-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103165448A ,2013-06-19

[2]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105244278A ,2016-01-13

[3]

PMOS晶体管的形成方法及CMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104425265A ,2015-03-18

[4]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104681436A ,2015-06-03

[5]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960795A ,2017-07-18

[6]

PMOS晶体管及形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103377941B ,2013-10-30

[7]

半导体结构的形成方法，PMOS晶体管的形成方法 [P].

涂火金 ;

林静 ;

何永根 .

中国专利 :CN102931058B ,2013-02-13

[8]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104465377B ,2015-03-25

[9]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

肖莉红 .

中国专利 :CN106298527B ,2017-01-04

[10]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

张海洋 ;

郑喆 .

中国专利 :CN106298915A ,2017-01-04

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