PMOS晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610016236.3

申请日：

2016-01-11

公开(公告)号：

CN106960795A

公开(公告)日：

2017-07-18

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101740562359 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016100162363 申请日:20160111
2020-03-10	授权	授权
2017-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105244278A ,2016-01-13

[2]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104681436A ,2015-06-03

[3]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105206530A ,2015-12-30

[4]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103165448A ,2013-06-19

[5]

PMOS晶体管的形成方法及CMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104425265A ,2015-03-18

[6]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105336776A ,2016-02-17

[7]

PMOS晶体管及形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103377941B ,2013-10-30

[8]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN105632927A ,2016-06-01

[9]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 ;

陈勇 .

中国专利 :CN103426767A ,2013-12-04

[10]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

卢炯平 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102479711B ,2012-05-30

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