共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
PMOS晶体管的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410603287.7
申请日：
2014-10-30
公开(公告)号：
CN105632927A
公开(公告)日：
2016-06-01
发明(设计)人：
涂火金
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
应战;骆苏华
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-09-07 | 授权 | 授权 |
| 2016-06-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667879674 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014106032877 申请日:20141030 |
| 2016-06-01 | 公开 | 公开 |