PMOS晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410686773.X

申请日：

2014-11-25

公开(公告)号：

CN104409351A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

曾绍海李铭

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区浦东张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619466878 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201410686773X 申请日:20141125
2018-04-06	授权	授权
2015-03-11	公开	公开

共 50 条

[1]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105244278A ,2016-01-13

[2]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN105632927A ,2016-06-01

[3]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104681436A ,2015-06-03

[4]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 ;

陈勇 .

中国专利 :CN103426767A ,2013-12-04

[5]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

卢炯平 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102479711B ,2012-05-30

[6]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960795A ,2017-07-18

[7]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN103594365B ,2014-02-19

[8]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105206530A ,2015-12-30

[9]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103165448A ,2013-06-19

[10]

PMOS晶体管的形成方法及CMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104425265A ,2015-03-18

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