一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610889171.3

申请日：

2016-10-11

公开(公告)号：

CN106185800A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

张剑豪胡益丰朱小芹邹华袁丽薛建忠孙月梅

申请人：

申请人地址：

213001 江苏省常州市中吴大道1801号

IPC主分类号：

B82Y3000

IPC分类号：

H01L4500

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

翁斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	授权	授权
2016-12-07	公开	公开
2017-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101699760624 IPC(主分类):B82Y 30/00 专利申请号:2016108891713 申请日:20161011

共 50 条

[1]

一种SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

翟良君 ;

陈奥 ;

陈雅蓉 ;

薛建忠 ;

邹华 ;

孙月梅 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 .

中国专利 :CN106185799A ,2016-12-07

[2]

一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

孙月梅 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

朱小芹 ;

眭永兴 ;

袁丽 ;

张建豪 ;

薛建忠 ;

郑龙 ;

吴世臣 ;

张丹 .

中国专利 :CN106340585A ,2017-01-18

[3]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

张培 ;

府博文 .

中国专利 :CN118354660A ,2024-07-16

[4]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

王玉堃 ;

朱小芹 ;

张剑豪 .

中国专利 :CN118773559A ,2024-10-15

[5]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

苏峰 ;

朱小芹 ;

张剑豪 .

中国专利 :CN118055688A ,2024-05-17

[6]

一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

邹华 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

薛建忠 ;

张建豪 ;

郑龙 ;

吴世臣 ;

袁丽 ;

孙月梅 ;

吴卫华 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN106229409B ,2016-12-14

[7]

用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

胡益丰 ;

潘佳浩 ;

吴小丽 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN104795494A ,2015-07-22

[8]

一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

晏雨枫 ;

李洋 ;

李欣欣 ;

吴晓丽 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN105514270A ,2016-04-20

[9]

一种Ti-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 ;

陈施谕 .

中国专利 :CN106449972B ,2017-02-22

[10]

类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜及其制备和应用 [P].

沈波 ;

赵子寒 ;

翟继卫 .

中国专利 :CN109585649A ,2019-04-05

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