一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410172207.0

申请日：

2024-02-07

公开(公告)号：

CN118055688A

公开(公告)日：

2024-05-17

发明(设计)人：

胡益丰苏峰朱小芹张剑豪

申请人：

江苏理工学院

申请人地址：

213000 江苏省常州市中吴大道1801号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

C09K5/02 B82Y30/00 B82Y40/00 G11C11/56 C23C14/20 C23C14/35 C23C14/50 H10N70/20 H10B63/10 B82Y10/00

代理机构：

苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266

代理人：

赵晓芳

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-17	公开	公开
2024-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20240207

共 50 条

[1]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

王玉堃 ;

朱小芹 ;

张剑豪 .

中国专利 :CN118773559A ,2024-10-15

[2]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

张培 ;

府博文 .

中国专利 :CN118354660A ,2024-07-16

[3]

一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

邹华 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

薛建忠 ;

张建豪 ;

郑龙 ;

吴世臣 ;

袁丽 ;

孙月梅 ;

吴卫华 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN106229409B ,2016-12-14

[4]

一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

孙月梅 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

朱小芹 ;

眭永兴 ;

袁丽 ;

张建豪 ;

薛建忠 ;

郑龙 ;

吴世臣 ;

张丹 .

中国专利 :CN106340585A ,2017-01-18

[5]

一种Ti-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 ;

陈施谕 .

中国专利 :CN106449972B ,2017-02-22

[6]

一种掺氧GeSb纳米相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 ;

何子芳 ;

陈施谕 .

中国专利 :CN106098934A ,2016-11-09

[7]

一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

晏雨枫 ;

李洋 ;

李欣欣 ;

吴晓丽 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN105514270A ,2016-04-20

[8]

一种用于快速相变、低功耗相变存储器的CuSnSb纳米相变薄膜材料及其制备和应用 [P].

尤海鹏 ;

吕莹璐 ;

牟臻颖 ;

姚茵 ;

胡益丰 ;

李悦 ;

陈依绡 ;

王馨瑶 ;

张慧雯 ;

杜二伟 .

中国专利 :CN118441253A ,2024-08-06

[9]

一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

张剑豪 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

袁丽 ;

薛建忠 ;

孙月梅 .

中国专利 :CN106185800A ,2016-12-07

[10]

一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴冬燕 ;

章雯 ;

蒋爱如 ;

吴阳江 .

中国专利 :CN105679934A ,2016-06-15

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