一种用于快速相变、低功耗相变存储器的CuSnSb纳米相变薄膜材料及其制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311372624.1

申请日：

2023-10-23

公开(公告)号：

CN118441253A

公开(公告)日：

2024-08-06

发明(设计)人：

尤海鹏吕莹璐牟臻颖姚茵胡益丰李悦陈依绡王馨瑶张慧雯杜二伟

申请人：

常州工学院

申请人地址：

213032 江苏省常州市新北区辽河路666号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C09K5/02 H10N70/00 C23C14/14 C22C12/00

代理机构：

常州西创专利代理事务所(普通合伙) 32472

代理人：

王一源

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

重庆市县

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20231023
2024-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

刘瑞蕊 ;

沈波 ;

何子芳 .

中国专利 :CN105070826A ,2015-11-18

[2]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

张培 ;

府博文 .

中国专利 :CN118354660A ,2024-07-16

[3]

用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料 [P].

翟继卫 ;

汪昌州 ;

沈波 ;

孙明成 .

中国专利 :CN102117885A ,2011-07-06

[4]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

王玉堃 ;

朱小芹 ;

张剑豪 .

中国专利 :CN118773559A ,2024-10-15

[5]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

苏峰 ;

朱小芹 ;

张剑豪 .

中国专利 :CN118055688A ,2024-05-17

[6]

一种相变薄膜及其制备方法和相变存储器 [P].

程晓敏 ;

刘香君 ;

曾运韬 ;

缪向水 ;

马平 ;

谭海波 ;

李响 .

中国专利 :CN115589771A ,2023-01-10

[7]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

[8]

一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用 [P].

沈波 ;

孙明成 ;

翟继卫 ;

汪昌州 .

中国专利 :CN102354729A ,2012-02-15

[9]

用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

张胤 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN101132049A ,2008-02-27

[10]

用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN104934533A ,2015-09-23

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