半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01823596.4

申请日：

2001-12-14

公开(公告)号：

CN100336226C

公开(公告)日：

2005-06-29

发明(设计)人：

秋山悟渡部隆夫松井裕一平谷正彦

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2710 H01L218242

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101055737611 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL018235964 申请日:20011214 授权公告日:20070905 终止日期:20100114
2007-09-05	授权	授权
2005-06-29	公开	公开
2008-01-16	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立制作所变更后权利人:株式会社瑞萨科技变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京登记生效日:20071207
2005-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

小山田成圣 .

中国专利 :CN107210262A ,2017-09-26

[2]

半导体器件 [P].

森川贵博 ;

寺尾元康 ;

高浦则克 ;

黑土健三 .

中国专利 :CN101313406B ,2008-11-26

[3]

半导体器件 [P].

野野村到 ;

长田健一 ;

佐圆真 .

中国专利 :CN101350345A ,2009-01-21

[4]

半导体器件、半导体显示器件及半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101266982A ,2008-09-17

[5]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[6]

半导体器件及使用该半导体器件的半导体集成电路 [P].

河原尊之 ;

山冈雅直 .

中国专利 :CN101901815A ,2010-12-01

[7]

半导体器件及使用该半导体器件的半导体集成电路 [P].

河原尊之 ;

山冈雅直 .

中国专利 :CN1909231A ,2007-02-07

[8]

半导体器件 [P].

清水和宏 .

中国专利 :CN1540863A ,2004-10-27

[9]

半导体器件 [P].

安托尼·香西奥 ;

马克·D·格里斯沃尔德 ;

阿穆德哈·R·伊鲁达亚姆 ;

珍妮弗·H·莫里松 .

中国专利 :CN101160663B ,2008-04-09

[10]

半导体器件 [P].

太田修策 ;

濑川启明 ;

广藤政则 .

中国专利 :CN101026156A ,2007-08-29

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