氮化物半导体垂直腔面发射激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610111208.6

申请日：

2006-08-15

公开(公告)号：

CN100583577C

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

斯科特·W·科尔扎因戴维·P·保尔

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

H01S5343 H01S5187

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-01-20	授权	授权
2007-02-21	公开	公开
2014-10-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587403904 IPC(主分类):H01S 5/183 专利号:ZL2006101112086 申请日:20060815 授权公告日:20100120 终止日期:20130815

共 50 条

[1]

一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 [P].

张保平 ;

任伯聪 ;

陈衍晖 ;

应磊莹 ;

郑志威 .

中国专利 :CN108923255A ,2018-11-30

[2]

氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法与应用 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

冯美鑫 ;

黄应南 ;

周宇 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113471814A ,2021-10-01

[3]

一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备法 [P].

张保平 ;

徐欢 ;

李青璇 ;

许荣彬 ;

梅洋 ;

应磊莹 ;

郑志威 .

中国专利 :CN115799988B ,2025-12-12

[4]

垂直腔面发射半导体激光器结构 [P].

廖文渊 ;

谭满清 ;

韦欣 ;

郭文涛 .

中国专利 :CN111435781B ,2020-07-21

[5]

垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法 [P].

藤井慧 ;

住友隆道 ;

有方卓 .

中国专利 :CN110875573A ,2020-03-10

[6]

垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法 [P].

藤井慧 ;

住友隆道 ;

有方卓 .

日本专利 :CN110875573B ,2024-06-14

[7]

单模垂直腔面发射激光器芯片 [P].

刘凯 ;

董晓雯 ;

钟云凤 ;

黄永清 ;

段晓峰 ;

王琦 ;

任晓敏 .

中国专利 :CN114825041B ,2025-01-14

[8]

单模垂直腔面发射激光器芯片 [P].

刘凯 ;

董晓雯 ;

钟云凤 ;

黄永清 ;

段晓峰 ;

王琦 ;

任晓敏 .

中国专利 :CN114825041A ,2022-07-29

[9]

半导体层叠板和垂直腔面发射激光器 [P].

原敬 .

中国专利 :CN103311805B ,2013-09-18

[10]

垂直腔面发射激光器 [P].

大西裕 ;

吉永弘幸 ;

田中礼 .

中国专利 :CN110556708A ,2019-12-10

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