温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ba3Bi2Ge3O12及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610087935.7

申请日：

2016-02-17

公开(公告)号：

CN105777104A

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

李纯纯方维双苏和平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	公开	公开
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674714316 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2016100879357 申请日:20160217
2021-01-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/453 申请公布日:20160720

共 50 条

[1]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2Ge3O12及其制备方法 [P].

方亮 ;

孙宜华 ;

李东升 .

中国专利 :CN105645949A ,2016-06-08

[2]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ba3Li2Ge2O8及其制备方法 [P].

方亮 ;

李威 ;

李东升 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN105503157A ,2016-04-20

[3]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ba3Bi2GeO8及其制备方法 [P].

方亮 ;

程柳 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105503173A ,2016-04-20

[4]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ba3ZnGe4O12及其制备方法 [P].

王丹 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105622068A ,2016-06-01

[5]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ba2ZnGe3O9及其制备方法 [P].

程柳 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105272171A ,2016-01-27

[6]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9 [P].

校凯 ;

段炼 ;

陈爽 .

中国专利 :CN106220160A ,2016-12-14

[7]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBaLa2V3O12 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236978A ,2016-01-13

[8]

一种低介电常数温度稳定型微波介电陶瓷Ba3Li3EuW2O12 [P].

方亮 ;

孙宜华 ;

李东升 ;

李威 .

中国专利 :CN105585320A ,2016-05-18

[9]

低损耗低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2Ge3O12及其制备方法 [P].

李纯纯 ;

邓酩 ;

卢锋奇 .

中国专利 :CN105523756A ,2016-04-27

[10]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2Sr2LaV3O12 [P].

陈进武 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236971A ,2016-01-13

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