低损耗低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2Ge3O12及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610087991.0

申请日：

2016-02-17

公开(公告)号：

CN105523756A

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

李纯纯邓酩卢锋奇

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

C04B3564

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662096002 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2016100879910 申请日:20160217
2021-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/453 申请公布日:20160427
2016-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2Ge3O12及其制备方法 [P].

方亮 ;

孙宜华 ;

李东升 .

中国专利 :CN105645949A ,2016-06-08

[2]

低损耗低介电常数微波介电陶瓷Mg2Bi3VO9 [P].

李纯纯 ;

孙璇 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105565804A ,2016-05-11

[3]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ba3Bi2Ge3O12及其制备方法 [P].

李纯纯 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105777104A ,2016-07-20

[4]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷SrLi3Sm3W2O13 [P].

李纯纯 ;

唐莹 ;

王丹 .

中国专利 :CN104876571A ,2015-09-02

[5]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Ca3MgTiGe3O12及其制备方法 [P].

卢锋奇 ;

李纯纯 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105777077A ,2016-07-20

[6]

低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷GdY2V3O12 [P].

李纯纯 ;

方维双 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105060889A ,2015-11-18

[7]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷SrLiSm3W5O21 [P].

李纯纯 ;

唐莹 ;

王丹 .

中国专利 :CN104891995A ,2015-09-09

[8]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9 [P].

校凯 ;

段炼 ;

陈爽 .

中国专利 :CN106220160A ,2016-12-14

[9]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2V2O11 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105693233A ,2016-06-22

[10]

高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Mg3Bi2Ge3O12及其制备方法 [P].

方维双 ;

唐莹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105801102A ,2016-07-27

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