低损耗低介电常数微波介电陶瓷Mg2Bi3VO9

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610090414.7

申请日：

2016-02-18

公开(公告)号：

CN105565804A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

李纯纯孙璇邓酩

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663906375 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2016100904147 申请日:20160218
2021-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/453 申请公布日:20160511
2016-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

低损耗低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2Ge3O12及其制备方法 [P].

李纯纯 ;

邓酩 ;

卢锋奇 .

中国专利 :CN105523756A ,2016-04-27

[2]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2CaMgGeO5 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187104A ,2016-12-07

[3]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷SrLi3Sm3W2O13 [P].

李纯纯 ;

唐莹 ;

王丹 .

中国专利 :CN104876571A ,2015-09-02

[4]

超低介电常数微波介电陶瓷ZnY3VO8 [P].

方维双 ;

唐莹 ;

郭欢欢 .

中国专利 :CN104261826A ,2015-01-07

[5]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷SrLiSm3W5O21 [P].

李纯纯 ;

唐莹 ;

王丹 .

中国专利 :CN104891995A ,2015-09-09

[6]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Sn2O9 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106278237A ,2017-01-04

[7]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Sn2O9 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187153A ,2016-12-07

[8]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9 [P].

校凯 ;

段炼 ;

陈爽 .

中国专利 :CN106220160A ,2016-12-14

[9]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷ZnLa2V2O9 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105777122A ,2016-07-20

[10]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Mg4BiVO8 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105565803A ,2016-05-11

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