浅结半导体器件的制造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99126770.2

申请日：

1999-12-16

公开(公告)号：

CN1264166A

公开(公告)日：

2000-08-23

发明(设计)人：

威廉·何塞－里恩·马赫辛－恩·C·万

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-09-03	授权	授权
2011-03-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101055733924 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL991267702 申请日:19991216 授权公告日:20030903 终止日期:20100118
2000-05-31	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2000-08-23	公开	公开

共 50 条

[1]

浅结半导体器件的制造方法 [P].

X·－W·林 .

中国专利 :CN100378928C ,2004-09-15

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

向磊 ;

郭莉莉 ;

马莉娜 .

中国专利 :CN112185805A ,2021-01-05

[3]

具有浅结的半导体器件的制造方法 [P].

安永友子 .

中国专利 :CN1227965A ,1999-09-08

[4]

制造超结半导体器件的方法 [P].

岛藤贵行 .

中国专利 :CN102254827A ,2011-11-23

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[8]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[9]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

杨旭刚 ;

田月姣 .

中国专利 :CN119108279A ,2024-12-10

[10]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

仙石直久 ;

松元道一 .

中国专利 :CN1316559C ,2004-08-04

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