溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880016174.X

申请日：

2008-02-28

公开(公告)号：

CN101680081B

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

井上一吉矢野公规笠见雅司

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1408 H01L29786

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-24	公开	公开
2012-10-31	授权	授权
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001461050 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:200880016174X 申请日:20080228

共 50 条

[1]

溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笠见雅司 .

中国专利 :CN102593161A ,2012-07-18

[2]

溅射靶及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

宇都野太 .

中国专利 :CN102212787B ,2011-10-12

[3]

溅射靶及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

宇都野太 .

中国专利 :CN103320755A ,2013-09-25

[4]

溅射靶及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

宇都野太 .

中国专利 :CN101558184A ,2009-10-14

[5]

氧化物半导体膜和半导体器件 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 .

中国专利 :CN106104811A ,2016-11-09

[6]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

丝濑麻美 .

中国专利 :CN109071359B ,2018-12-21

[7]

氧化物烧结材料及其制造方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 ;

富永爱子 ;

德田一弥 .

中国专利 :CN110621637B ,2019-12-27

[8]

溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法 [P].

庄大明 ;

赵明 ;

曹明杰 ;

郭力 ;

欧阳良琦 ;

孙汝军 .

中国专利 :CN106435491B ,2017-02-22

[9]

溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法 [P].

庄大明 ;

赵明 ;

曹明杰 ;

郭力 ;

张冷 ;

魏要伟 .

中国专利 :CN106435490B ,2017-02-22

[10]

氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶和半导体器件 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

曾我部浩一 .

中国专利 :CN105246856A ,2016-01-13

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