氧化物烧结材料及其制造方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880032388.X

申请日：

2018-05-01

公开(公告)号：

CN110621637B

公开(公告)日：

2019-12-27

发明(设计)人：

宫永美纪绵谷研一粟田英章富永爱子德田一弥

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C23C1434 H01L21363 H01L29786

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;牛嵩林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-27	公开	公开
2023-01-13	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/01 登记生效日:20230103 变更事项:专利权人变更前权利人:住友电气工业株式会社变更后权利人:三井金属矿业株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府大阪市变更后权利人:日本东京都
2020-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/01 申请日:20180501
2022-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物烧结材料、制造氧化物烧结材料的方法、溅射靶和制造半导体器件的方法 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 .

中国专利 :CN110312691B ,2019-10-08

[2]

氧化物烧结材料、制造氧化物烧结材料的方法、溅射靶和制造半导体器件的方法 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 .

中国专利 :CN110300738A ,2019-10-01

[3]

氧化物烧结材料及其制造方法、溅射靶和制造半导体器件的方法 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 ;

德田一弥 ;

富永爱子 .

中国专利 :CN109906211B ,2019-06-18

[4]

氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶和半导体器件 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

曾我部浩一 .

中国专利 :CN105246856A ,2016-01-13

[5]

氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶、以及半导体器件 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

曾我部浩一 ;

粟田英章 .

中国专利 :CN105745183B ,2016-07-06

[6]

氧化物烧结材料、氧化物烧结材料的制造方法、溅射靶和半导体装置的制造方法 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 .

中国专利 :CN107001146B ,2017-08-01

[7]

溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笠见雅司 .

中国专利 :CN102593161A ,2012-07-18

[8]

溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笠见雅司 .

中国专利 :CN101680081B ,2010-03-24

[9]

氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶和半导体器件 [P].

宫永美纪 ;

粟田英章 ;

绵谷研一 .

中国专利 :CN106164016A ,2016-11-23

[10]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

丝濑麻美 .

中国专利 :CN109071359B ,2018-12-21

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