具有应力隔离的MEMS器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080038090.3
申请日
2010-08-05
公开(公告)号
CN102482072B
公开(公告)日
2012-05-30
发明(设计)人
阿伦·A·盖斯贝格尔
申请人
申请人地址
美国得克萨斯
IPC主分类号
B81B702
IPC分类号
B81C100 H01L2102
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
李宝泉;周亚荣
法律状态
专利权的终止
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
MEMS器件中的应力释放机构及其制造方法 [P]. 
加里·G·李 ;
乔纳森·哈莱·哈蒙德 ;
丹尼尔·N·小库里 .
中国专利 :CN101317325A ,2008-12-03
[2]
具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺 [P]. 
N·博尼 ;
L·文奇盖拉 ;
R·卡尔米纳蒂 ;
M·默利 .
:CN114368724B ,2025-08-15
[3]
具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺 [P]. 
N·博尼 ;
L·文奇盖拉 ;
R·卡尔米纳蒂 ;
M·默利 .
中国专利 :CN114368724A ,2022-04-19
[4]
MEMS器件、封装MEMS器件及其制造方法 [P]. 
梁凯智 ;
郑钧文 .
中国专利 :CN103539062A ,2014-01-29
[5]
一种MEMS器件的应力隔离封装结构 [P]. 
苏佳乐 ;
郭中洋 ;
华亚平 .
中国专利 :CN221370643U ,2024-07-19
[6]
一种MEMS器件的应力隔离封装结构 [P]. 
华亚平 ;
刘金锋 .
中国专利 :CN112225168B ,2025-01-03
[7]
一种MEMS器件的应力隔离封装结构 [P]. 
华亚平 ;
刘金锋 .
中国专利 :CN213416273U ,2021-06-11
[8]
一种MEMS器件的应力隔离封装结构 [P]. 
华亚平 ;
刘金锋 .
中国专利 :CN112225168A ,2021-01-15
[9]
一种MEMS器件的应力隔离封装结构 [P]. 
苏佳乐 ;
郭中洋 ;
华亚平 .
中国专利 :CN117566682A ,2024-02-20
[10]
一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件 [P]. 
闾新明 ;
林欣蓉 ;
鲁列微 .
中国专利 :CN114084867B ,2025-03-21