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沟槽金氧半导体元件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810093147.8
申请日：
2018-01-31
公开(公告)号：
CN109841611A
公开(公告)日：
2019-06-04
发明(设计)人：
陈劲甫
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹县竹北市台元一街5号9楼之6
IPC主分类号：
H01L2702
IPC分类号：
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
吴志红;臧建明
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-08-13 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20190724 变更事项:申请人 变更前权利人:力祥半导体股份有限公司 变更后权利人:力智电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:新竹县竹北市台元一街5号9楼之6 变更后权利人:中国台湾新竹县竹北市台元一街5号9楼之1 |
| 2021-05-07 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/02 申请公布日:20190604 |
| 2019-06-04 | 公开 | 公开 |