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高深宽比的超结功率半导体结构

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202022429058.1
申请日：
2020-10-28
公开(公告)号：
CN213150784U
公开(公告)日：
2021-05-07
发明(设计)人：
朱袁正 周锦程 黄韵娜
申请人：
申请人地址：
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336 H01L2906
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-05-07 授权 授权
共 50 条
[1]
高深宽比的超结功率半导体结构及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 ;
黄韵娜 .
中国专利 :CN112242447A ,2021-01-19
[2]
高深宽比的超结功率半导体结构及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 ;
黄韵娜 .
中国专利 :CN112242447B ,2024-09-06
[3]
高可靠性超结功率半导体结构 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 ;
李宗清 .
中国专利 :CN212303677U ,2021-01-05
[4]
超结SGT MOS功率半导体器件结构 [P]. 
廖巍 ;
张海涛 .
中国专利 :CN213184293U ,2021-05-11
[5]
高可靠性超结功率半导体结构及制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 ;
李宗清 .
中国专利 :CN112086504A ,2020-12-15
[6]
高可靠性超结功率半导体结构及制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 ;
李宗清 .
中国专利 :CN112086504B ,2024-09-06
[7]
高深宽比结构、电容器结构及半导体存储器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN207353251U ,2018-05-11
[8]
半导体超结功率器件 [P]. 
龚轶 ;
刘伟 ;
袁愿林 ;
刘磊 ;
王睿 .
中国专利 :CN112864221B ,2021-05-28
[9]
半导体超结功率器件 [P]. 
王鹏飞 ;
袁愿林 ;
刘磊 ;
王睿 .
中国专利 :CN118231446A ,2024-06-21
[10]
半导体超结功率器件 [P]. 
刘伟 ;
刘磊 ;
袁愿林 ;
王睿 .
中国专利 :CN116137283B ,2025-09-12
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