MOSFET本征电压的模拟计算方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110728116.7
申请日
2021-06-29
公开(公告)号
CN113361229A
公开(公告)日
2021-09-07
发明(设计)人
顾经纶
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
G06F30398
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
周耀君
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
MOSFET本征电压的模拟计算方法 [P]. 
顾经纶 .
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[2]
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[3]
水洗塔模拟计算方法 [P]. 
龙回龙 ;
张增富 .
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[4]
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[5]
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施灵聪 .
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[7]
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[10]
模拟计算方法、设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
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