FinFET漏端电流和栅极电压的模拟计算方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210639208.2

申请日：

2022-06-07

公开(公告)号：

CN115081196B

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

施灵聪

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201314 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

G06F30/20

IPC分类号：

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

钟玉敏

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

FinFET漏端电流和栅极电压的模拟计算方法 [P].

施灵聪 .

中国专利 :CN115081196A ,2022-09-20

[2]

MOSFET本征电压的模拟计算方法 [P].

顾经纶 .

中国专利 :CN113361229A ,2021-09-07

[3]

MOSFET本征电压的模拟计算方法 [P].

顾经纶 .

中国专利 :CN113361229B ,2024-02-27

[4]

水洗塔模拟计算方法 [P].

龙回龙 ;

张增富 .

中国专利 :CN113868887A ,2021-12-31

[5]

水洗塔模拟计算方法 [P].

龙回龙 ;

张增富 .

中国专利 :CN113868887B ,2024-05-17

[6]

交通工具绕流的模拟计算方法、模拟计算模型的训练方法 [P].

邢冯 ;

刘贤冬 ;

胡晓光 .

中国专利 :CN114969967B ,2024-08-13

[7]

一种导线载流量模拟计算装置及模拟计算方法 [P].

冯子刚 ;

王宝华 ;

鹿中亮 ;

陈光捷 ;

孙辉 ;

杜娇阳 ;

高燕键 ;

宿刚 ;

李帅华 ;

张兆斌 ;

刘海洋 .

中国专利 :CN115078893A ,2022-09-20

[8]

一种悬重模拟计算方法 [P].

单永斌 .

中国专利 :CN113946948B ,2025-12-19

[9]

模拟计算方法、设备及存储介质 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119148979A ,2024-12-17

[10]

一种悬重模拟计算方法 [P].

单永斌 .

中国专利 :CN113946948A ,2022-01-18

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