一种耐磨二硫化钨薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710207006.X

申请日：

2017-03-31

公开(公告)号：

CN107058949B

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

郑晓华杨芳儿沈靖枫徐秉政李昂鲁叶

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1435

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：

黄美娟;俞慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747189624 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:201710207006X 申请日:20170331
2017-08-18	公开	公开
2019-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN107557754A ,2018-01-09

[2]

一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

吕燕飞 ;

徐竹华 ;

赵士超 .

中国专利 :CN110373718A ,2019-10-25

[3]

一种二硫化钨单层薄膜的制备方法 [P].

孟秀清 ;

汤宁 ;

方允樟 ;

黄仕华 ;

叶慧群 ;

楼刚 .

中国专利 :CN106007796B ,2016-10-12

[4]

一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

杨培志 ;

马春阳 ;

杨雯 ;

杜凯翔 ;

申开远 .

中国专利 :CN110607516A ,2019-12-24

[5]

一种PVD法制备二硫化钨纳米薄膜的方法 [P].

田幼华 .

中国专利 :CN106756782A ,2017-05-31

[6]

铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法 [P].

刘红军 ;

张福强 ;

苏少凯 ;

景芳丽 ;

杨栋程 ;

任彩霞 .

中国专利 :CN110668499A ,2020-01-10

[7]

一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

吕燕飞 ;

蔡庆锋 ;

彭雪 ;

赵士超 .

中国专利 :CN112795898A ,2021-05-14

[8]

一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法 [P].

孟庆远 ;

贠江妮 ;

黄任静 ;

张艳妮 ;

余润伟 ;

杨芷 ;

陈旭辉 .

中国专利 :CN110042363A ,2019-07-23

[9]

一种可转移的二硫化钨薄膜及其制备方法与应用 [P].

符亚军 ;

林鑫 ;

蒋玉苹 ;

郭佳兴 ;

曹林洪 ;

温建武 .

中国专利 :CN117512573A ,2024-02-06

[10]

一种钛、铅共掺杂二硫化钨复合薄膜的制备方法 [P].

胡建强 ;

郭力 ;

徐克明 ;

徐新 ;

杨士钊 ;

郑全喜 .

中国专利 :CN110016644A ,2019-07-16

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