一种二维二硫化钨薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910462792.7

申请日：

2019-05-30

公开(公告)号：

CN110373718A

公开(公告)日：

2019-10-25

发明(设计)人：

吕燕飞徐竹华赵士超

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2500

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

杨舟涛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-25	授权	授权
2019-10-25	公开	公开
2020-12-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/46 登记生效日:20201214 变更事项:专利权人变更前权利人:杭州电子科技大学变更后权利人:徐州新南湖科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更后权利人:221000 江苏省徐州市云龙区汉源大道西绿地商务城LOFTC幢
2019-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20190530

共 50 条

[1]

一种二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN107557754A ,2018-01-09

[2]

一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

吕燕飞 ;

蔡庆锋 ;

彭雪 ;

赵士超 .

中国专利 :CN112795898A ,2021-05-14

[3]

一种二维二硫化钨薄膜晶界的鉴别方法 [P].

孟岚 ;

冯晶晶 ;

颜晓红 .

中国专利 :CN114855266A ,2022-08-05

[4]

一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法 [P].

郝国林 ;

张世伟 ;

贺力员 ;

郝玉龙 .

中国专利 :CN116081580B ,2025-01-28

[5]

一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法 [P].

孟庆远 ;

贠江妮 ;

黄任静 ;

张艳妮 ;

余润伟 ;

杨芷 ;

陈旭辉 .

中国专利 :CN110042363A ,2019-07-23

[6]

一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

夏媛 ;

吕秋燃 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114540956A ,2022-05-27

[7]

一种耐磨二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

郑晓华 ;

杨芳儿 ;

沈靖枫 ;

徐秉政 ;

李昂 ;

鲁叶 .

中国专利 :CN107058949B ,2017-08-18

[8]

一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法 [P].

陈飞 ;

姜夏 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN113913940A ,2022-01-11

[9]

一种二硫化钨的可控制备方法 [P].

何大伟 ;

巩哲 ;

何家琪 ;

王永生 .

中国专利 :CN106811731A ,2017-06-09

[10]

一种大面积二维的二硫化铼薄膜及其制备方法和应用 [P].

郭宗亮 ;

魏爱香 ;

余代者 ;

招瑜 ;

肖志明 ;

刘俊 .

中国专利 :CN109023295A ,2018-12-18

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