一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111226096.X

申请日：

2021-10-21

公开(公告)号：

CN113913940A

公开(公告)日：

2022-01-11

发明(设计)人：

陈飞姜夏苏伟涛

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道2号大街1158号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2964 C30B2968 C30B2500 B82Y4000 B82Y2000

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	公开	公开
2022-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20211021

共 50 条

[1]

一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法 [P].

郝国林 ;

张世伟 ;

贺力员 ;

郝玉龙 .

中国专利 :CN116081580B ,2025-01-28

[2]

一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

吕燕飞 ;

徐竹华 ;

赵士超 .

中国专利 :CN110373718A ,2019-10-25

[3]

一种二硫化钨的可控制备方法 [P].

何大伟 ;

巩哲 ;

何家琪 ;

王永生 .

中国专利 :CN106811731A ,2017-06-09

[4]

一种二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN107557754A ,2018-01-09

[5]

一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用 [P].

杜纯 ;

杨子逸 ;

莫安珍 ;

段宣明 .

中国专利 :CN115385378A ,2022-11-25

[6]

一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

夏媛 ;

吕秋燃 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114540956A ,2022-05-27

[7]

一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法 [P].

张璐 .

中国专利 :CN114150290B ,2024-02-02

[8]

一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法 [P].

张璐 .

中国专利 :CN114150290A ,2022-03-08

[9]

一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

吕燕飞 ;

蔡庆锋 ;

彭雪 ;

赵士超 .

中国专利 :CN112795898A ,2021-05-14

[10]

一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN110565052A ,2019-12-13

← 1 2 3 4 5 →