一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211737966.4

申请日：

2022-12-31

公开(公告)号：

CN116081580B

公开(公告)日：

2025-01-28

发明(设计)人：

郝国林张世伟贺力员郝玉龙

申请人：

湘潭大学

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号

IPC主分类号：

C01B19/04

IPC分类号：

C01G41/00 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108

代理人：

冷玉萍

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省湘潭市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

吕燕飞 ;

徐竹华 ;

赵士超 .

中国专利 :CN110373718A ,2019-10-25

[2]

一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法 [P].

张璐 .

中国专利 :CN114150290B ,2024-02-02

[3]

一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法 [P].

张璐 .

中国专利 :CN114150290A ,2022-03-08

[4]

一种二维二硫化钨薄膜晶界的鉴别方法 [P].

孟岚 ;

冯晶晶 ;

颜晓红 .

中国专利 :CN114855266A ,2022-08-05

[5]

一种二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN107557754A ,2018-01-09

[6]

一种单层二硒化钨单晶薄膜的制备方法 [P].

史建平 ;

杜翥 ;

伍嘉良 .

中国专利 :CN121023633A ,2025-11-28

[7]

一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法 [P].

陈飞 ;

姜夏 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN113913940A ,2022-01-11

[8]

一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法 [P].

陈飞 ;

夏媛 ;

吕秋燃 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN114540956A ,2022-05-27

[9]

一种二硫化钨的可控制备方法 [P].

何大伟 ;

巩哲 ;

何家琪 ;

王永生 .

中国专利 :CN106811731A ,2017-06-09

[10]

一种大面积褶皱二硒化钨纳米结构的制备方法 [P].

郝国林 ;

郝世杰 ;

高枫林 ;

郝玉龙 ;

周欢 ;

王凯祎 .

中国专利 :CN117904599A ,2024-04-19

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