一种单电极产生低温等离子体的装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410585628.2

申请日：

2014-10-28

公开(公告)号：

CN104284502B

公开(公告)日：

2015-01-14

发明(设计)人：

万京林万良淏万良庆

申请人：

申请人地址：

211199 江苏省南京市江宁区滨江经济开发区喜燕路

IPC主分类号：

H05H124

IPC分类号：

代理机构：

南京钟山专利代理有限公司 32252

代理人：

戴朝荣

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	授权	授权
2015-01-14	公开	公开
2015-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101598159152 IPC(主分类):H05H 1/24 专利申请号:2014105856282 申请日:20141028

共 50 条

[1]

一种单电极低温等离子体发生设备 [P].

万京林 ;

万良淏 ;

万良庆 .

中国专利 :CN204231737U ,2015-03-25

[2]

一种单电极低温等离子体发生设备 [P].

郑艳 ;

高彪 ;

沈义信 .

中国专利 :CN212305744U ,2021-01-05

[3]

一种低温等离子体射流阵列产生电极 [P].

宋颖 ;

詹扬春 ;

牛方勇 ;

刘本康 ;

赵志国 .

中国专利 :CN222509597U ,2025-02-18

[4]

低温等离子体处理装置 [P].

星田繁宏 ;

铃木真二 ;

天野正 .

中国专利 :CN101077629A ,2007-11-28

[5]

大气压条件下单电极产生低温等离子体流的发射装置 [P].

万良淏 ;

万良庆 .

中国专利 :CN203233588U ,2013-10-09

[6]

大气压条件下单电极产生低温等离子体流的发射装置 [P].

万良淏 ;

万良庆 .

中国专利 :CN103037610A ,2013-04-10

[7]

大气压条件下单电极产生低温等离子体流的发射装置 [P].

高彪 ;

郑艳 ;

沈义信 .

中国专利 :CN212086561U ,2020-12-04

[8]

低温等离子体处理 [P].

A.库普斯 ;

K.凯特-泰尔金比舍尔 .

中国专利 :CN107406725A ,2017-11-28

[9]

一种产生非平衡低温等离子体的装置 [P].

宋长维 ;

翟景恒 ;

徐章华 .

中国专利 :CN118139263A ,2024-06-04

[10]

双电极等离子体产生装置和等离子体处理设备 [P].

杨靖 ;

刘涛 ;

乐卫平 ;

宋成 ;

张文杰 ;

谢幸光 .

中国专利 :CN222839865U ,2025-05-06

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