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一种单电极低温等离子体发生设备

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201420628414.4
申请日：
2014-10-28
公开(公告)号：
CN204231737U
公开(公告)日：
2015-03-25
发明(设计)人：
万京林 万良淏 万良庆
申请人：
申请人地址：
211199 江苏省南京市江宁区滨江经济开发区喜燕路
IPC主分类号：
H05H124
IPC分类号：
代理机构：
南京钟山专利代理有限公司 32252
代理人：
戴朝荣
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2015-03-25 授权 授权
共 50 条
[1]
一种单电极产生低温等离子体的装置 [P]. 
万京林 ;
万良淏 ;
万良庆 .
中国专利 :CN104284502B ,2015-01-14
[2]
一种单电极低温等离子体发生设备 [P]. 
郑艳 ;
高彪 ;
沈义信 .
中国专利 :CN212305744U ,2021-01-05
[3]
双螺旋电极低温等离子体发生器 [P]. 
张伟 .
中国专利 :CN206629322U ,2017-11-10
[4]
一种多电极低温等离子体发生器 [P]. 
王辉 ;
温燕杰 ;
敖祥 ;
杨光 .
中国专利 :CN218217776U ,2023-01-03
[5]
一种大气压单电极低温等离子体射流装置 [P]. 
王球 ;
陈兆权 ;
王悦 ;
胡业林 .
中国专利 :CN203574924U ,2014-04-30
[6]
双螺旋电极低温等离子体发生器 [P]. 
张伟 .
中国专利 :CN108633157A ,2018-10-09
[7]
一种超薄体放电极低温等离子体发生器 [P]. 
王连岐 .
中国专利 :CN107360658A ,2017-11-17
[8]
等离子体发生装置 [P]. 
李衎 .
中国专利 :CN2867790Y ,2007-02-07
[9]
低温等离子体发生装置 [P]. 
雷士信 ;
张松鹤 ;
赵前超 ;
余国山 .
中国专利 :CN205566777U ,2016-09-07
[10]
低温等离子体发生装置 [P]. 
魏德兴 ;
陈伟 ;
刘斐 .
中国专利 :CN204559996U ,2015-08-12
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