低真空低温射频感性耦合等离子体反应器及其使用方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410684085.X
申请日
2014-11-25
公开(公告)号
CN104368288A
公开(公告)日
2015-02-25
发明(设计)人
高松华 高立华 陈礼炜
申请人
申请人地址
365004 福建省三明市三元区荆东路25号
IPC主分类号
B01J1908
IPC分类号
代理机构
福州元创专利商标代理有限公司 35100
代理人
蔡学俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
低真空低温射频感性耦合等离子体反应器 [P]. 
高松华 ;
高立华 ;
陈礼炜 .
中国专利 :CN204275958U ,2015-04-22
[2]
一种低真空低温射频容性耦合等离子体反应器 [P]. 
高松华 ;
高立华 ;
陈礼炜 .
中国专利 :CN205160893U ,2016-04-13
[3]
一种低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器及其使用方法 [P]. 
高松华 ;
高立华 .
中国专利 :CN110113856A ,2019-08-09
[4]
一种低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器 [P]. 
高松华 ;
高立华 .
中国专利 :CN210469842U ,2020-05-05
[5]
一种简易常压低温射频等离子体反应器 [P]. 
高松华 ;
高立华 ;
陈礼炜 .
中国专利 :CN204289365U ,2015-04-22
[6]
等离子体反应器 [P]. 
左涛涛 ;
吴狄 .
中国专利 :CN211350572U ,2020-08-25
[7]
电感耦合等离子体反应器 [P]. 
瓦伦丁·N·托多罗夫 ;
萨姆尔·班纳 ;
安库尔·阿加瓦尔 ;
陈志刚 ;
王泽江 ;
安德鲁·阮 ;
马丁·杰夫·萨利纳斯 .
中国专利 :CN102056393B ,2011-05-11
[8]
等离子体反应器及其射频功率分布调节方法 [P]. 
左涛涛 ;
吴狄 .
中国专利 :CN113496862B ,2024-09-06
[9]
等离子体反应器及其射频功率分布调节方法 [P]. 
左涛涛 ;
吴狄 .
中国专利 :CN113496862A ,2021-10-12
[10]
感应耦合等离子体反应器 [P]. 
崔大圭 .
中国专利 :CN101080133A ,2007-11-28