双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720645616.3

申请日：

2017-06-06

公开(公告)号：

CN207282509U

公开(公告)日：

2018-04-27

发明(设计)人：

刘正新孟凡英张丽平石建华俞健刘金宁刘毓成

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L31072

IPC分类号：

H01L310216 H01L310224 H01L3118

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-27	授权	授权
2021-06-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/072 登记生效日:20210603 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所变更后权利人:中威新能源（成都）有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁区长宁路865号变更后权利人:610200 四川省成都市双流西南航空港经济开发区内

共 50 条

[1]

双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法 [P].

刘正新 ;

孟凡英 ;

张丽平 ;

石建华 ;

俞健 ;

刘金宁 ;

刘毓成 .

中国专利 :CN109004053A ,2018-12-14

[2]

双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法 [P].

刘正新 ;

孟凡英 ;

张丽平 ;

石建华 ;

俞健 ;

刘金宁 ;

刘毓成 .

中国专利 :CN109004053B ,2024-03-29

[3]

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池 [P].

石建华 ;

孟凡英 ;

刘正新 .

中国专利 :CN209104182U ,2019-07-12

[4]

硅异质结太阳电池 [P].

王伟 ;

田宏波 ;

赵晓霞 ;

王恩宇 ;

宗军 ;

李洋 ;

杨瑞鹏 ;

周永谋 .

中国专利 :CN207233747U ,2018-04-13

[5]

一种晶体硅异质结太阳电池 [P].

高超 ;

黄海宾 ;

周浪 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN106252430A ,2016-12-21

[6]

一种晶体硅异质结太阳电池 [P].

高超 ;

黄海宾 ;

周浪 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN206271715U ,2017-06-20

[7]

晶体硅-非晶硅异质结太阳电池 [P].

李志强 ;

黄岳文 ;

易月星 ;

唐则祁 ;

胡宏勋 .

中国专利 :CN201349015Y ,2009-11-18

[8]

非晶硅－晶体硅异质结太阳电池 [P].

袁晓 ;

李涛勇 .

中国专利 :CN101043058A ,2007-09-26

[9]

硅异质结太阳电池 [P].

田宏波 ;

王伟 ;

赵晓霞 ;

王恩宇 ;

宗军 ;

李洋 ;

杨瑞鹏 ;

周永谋 .

中国专利 :CN207398153U ,2018-05-22

[10]

硅异质结太阳电池 [P].

赵晓霞 ;

王伟 ;

田宏波 ;

王雪松 ;

王恩宇 ;

宗军 .

中国专利 :CN110649129A ,2020-01-03

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