一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910156618.X

申请日：

2019-03-01

公开(公告)号：

CN109735818A

公开(公告)日：

2019-05-10

发明(设计)人：

廖斌庞盼唐杰罗军陈琳

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301-76号银星智界3号楼(深国电大厦)601

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1454

代理机构：

深圳市宾亚知识产权代理有限公司 44459

代理人：

黄磊

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C 14/35 登记生效日:20211201 变更事项:申请人变更前权利人:深圳南科超膜材料技术有限公司变更后权利人:深圳戴尔蒙德科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301-76号银星智界3号楼(深国电大厦)601 变更后权利人:518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路6号腾飞工业大厦A栋3层301-303
2019-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20190301
2019-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统 [P].

廖斌 ;

庞盼 ;

唐杰 ;

罗军 ;

陈琳 .

中国专利 :CN209989459U ,2020-01-24

[2]

一种调制高功率脉冲磁控溅射制备AlCrN涂层的方法 [P].

郑军 ;

周晖 ;

王启民 ;

贵宾华 ;

张延帅 .

中国专利 :CN106835036A ,2017-06-13

[3]

一种利用高功率脉冲磁控溅射技术制备Ti掺杂的ta-C涂层的方法 [P].

冯利民 ;

李建中 ;

何哲秋 ;

石俊杰 ;

于凯 ;

吴静怡 .

中国专利 :CN117568763A ,2024-02-20

[4]

一种利用高功率脉冲磁控溅射技术制备Si掺杂的ta-C涂层的方法 [P].

冯利民 ;

李建中 ;

何哲秋 ;

石俊杰 ;

于凯 ;

吴静怡 .

中国专利 :CN117568762A ,2024-02-20

[5]

一种采用高功率脉冲磁控溅射制备TiAlSiN纳米复合薄膜的方法 [P].

匡同春 ;

陈怡 ;

邓阳 .

中国专利 :CN120210751A ,2025-06-27

[6]

一种高功率脉冲溅射源离子磁控溅射装置 [P].

彭长明 ;

陈雪影 .

中国专利 :CN117888069A ,2024-04-16

[7]

一种高功率脉冲磁控溅射装置 [P].

周焱文 .

中国专利 :CN114517287A ,2022-05-20

[8]

高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法 [P].

林铁贵 ;

覃凯凯 ;

张玉芬 ;

马凯丽 ;

韩玥 ;

杨哲 .

中国专利 :CN117778977B ,2025-04-11

[9]

高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法 [P].

林铁贵 ;

覃凯凯 ;

张玉芬 ;

马凯丽 ;

韩玥 ;

杨哲 .

中国专利 :CN117778977A ,2024-03-29

[10]

一种用于高功率脉冲磁控溅射的装置及方法 [P].

田修波 ;

柏贺达 .

中国专利 :CN114921764A ,2022-08-19

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