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一种利用高功率脉冲磁控溅射技术制备Si掺杂的ta-C涂层的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311531203.9
申请日
:
2023-11-16
公开(公告)号
:
CN117568762A
公开(公告)日
:
2024-02-20
发明(设计)人
:
冯利民
李建中
何哲秋
石俊杰
于凯
吴静怡
申请人
:
东北大学
上海新弧源涂层技术有限公司
申请人地址
:
110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
IPC主分类号
:
C23C14/35
IPC分类号
:
C23C14/06
C23C14/54
C23C14/02
代理机构
:
大连东方专利代理有限责任公司 21212
代理人
:
周莹;李馨
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-08
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20231116
2024-02-20
公开
公开
共 50 条
[1]
一种利用高功率脉冲磁控溅射技术制备Ti掺杂的ta-C涂层的方法
[P].
冯利民
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东北大学
东北大学
冯利民
;
李建中
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东北大学
东北大学
李建中
;
何哲秋
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东北大学
东北大学
何哲秋
;
石俊杰
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东北大学
东北大学
石俊杰
;
于凯
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机构:
东北大学
东北大学
于凯
;
吴静怡
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机构:
东北大学
东北大学
吴静怡
.
中国专利
:CN117568763A
,2024-02-20
[2]
一种提高高功率脉冲磁控溅射技术制备ta-C涂层沉积速率的方法
[P].
冯利民
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东北大学
东北大学
冯利民
;
李建中
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机构:
东北大学
东北大学
李建中
;
何哲秋
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机构:
东北大学
东北大学
何哲秋
;
石俊杰
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机构:
东北大学
东北大学
石俊杰
;
于凯
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机构:
东北大学
东北大学
于凯
;
吴静怡
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机构:
东北大学
东北大学
吴静怡
.
中国专利
:CN117568764A
,2024-02-20
[3]
一种调制高功率脉冲磁控溅射制备AlCrN涂层的方法
[P].
郑军
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郑军
;
周晖
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周晖
;
王启民
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王启民
;
贵宾华
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贵宾华
;
张延帅
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张延帅
.
中国专利
:CN106835036A
,2017-06-13
[4]
一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法
[P].
廖斌
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廖斌
;
庞盼
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庞盼
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唐杰
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唐杰
;
罗军
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罗军
;
陈琳
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陈琳
.
中国专利
:CN109735818A
,2019-05-10
[5]
一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统
[P].
廖斌
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廖斌
;
庞盼
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庞盼
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唐杰
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唐杰
;
罗军
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罗军
;
陈琳
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陈琳
.
中国专利
:CN209989459U
,2020-01-24
[6]
一种利用调制高功率脉冲磁控溅射制备AlTiN硬质涂层的方法
[P].
周晖
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周晖
;
郑军
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郑军
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王启民
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王启民
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贵宾华
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贵宾华
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张延帅
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张延帅
;
杨拉毛草
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杨拉毛草
;
桑瑞鹏
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桑瑞鹏
;
赵栋才
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赵栋才
.
中国专利
:CN106868450A
,2017-06-20
[7]
一种采用高功率脉冲磁控溅射制备TiAlSiN纳米复合薄膜的方法
[P].
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机构:
匡同春
;
论文数:
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机构:
陈怡
;
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机构:
邓阳
.
中国专利
:CN120210751A
,2025-06-27
[8]
高功率脉冲磁控溅射CrAlSiN纳米复合涂层及其制备方法
[P].
范其香
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范其香
;
王铁钢
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王铁钢
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吴正环
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吴正环
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王政权
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王政权
;
刘艳梅
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刘艳梅
;
张涛
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张涛
.
中国专利
:CN107130222B
,2017-09-05
[9]
一种利用调制高功率脉冲磁控溅射制得的AlCrBN硬质涂层及其制备方法
[P].
刘源
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刘源
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张子扬
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张子扬
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张泽
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张泽
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张浩洋
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张浩洋
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郑军
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郑军
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赵栋才
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赵栋才
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王启民
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王启民
.
中国专利
:CN113201719A
,2021-08-03
[10]
一种基于高功率脉冲磁控溅射的碳化硅防护涂层的制备方法
[P].
宁德
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中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
宁德
;
钱玖通
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机构:
中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
钱玖通
;
陈炳安
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中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
陈炳安
;
钟国仿
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中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
钟国仿
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吴唯
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中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
吴唯
;
章文丽
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中国科学院深圳先进技术研究院
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章文丽
;
王思达
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中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
王思达
;
胡永军
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机构:
中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
胡永军
;
李伟民
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机构:
中国科学院深圳先进技术研究院
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李伟民
;
钟国华
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机构:
中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
钟国华
;
杨春雷
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机构:
中国科学院深圳先进技术研究院
中国科学院深圳先进技术研究院
杨春雷
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中国专利
:CN117626195A
,2024-03-01
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