竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110480799.9

申请日：

2021-04-30

公开(公告)号：

CN113964133A

公开(公告)日：

2022-01-21

发明(设计)人：

李宜芳 J·古哈 L·P·海内克 K·M·考尔道李时雨 T·B·麦克丹尼尔 S·E·西里斯 K·J·特雷克 S-W·杨

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2711585

IPC分类号：

H01L271159

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11585 申请日:20210430

共 50 条

[1]

竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法 [P].

李宜芳 ;

J·古哈 ;

L·P·海内克 ;

K·M·考尔道 ;

李时雨 ;

T·B·麦克丹尼尔 ;

S·E·西里斯 ;

K·J·特雷克 ;

S-W·杨 .

美国专利 :CN113964133B ,2025-09-23

[2]

竖直晶体管 [P].

李宜芳 ;

刘鸿威 ;

陆宁 ;

A·A·卡恩德卡尔 ;

J·B·赫尔 ;

S·博尔萨里 .

中国专利 :CN114628519A ,2022-06-14

[3]

晶体管阵列 [P].

J·索卡特斯 ;

H·万德克邱武 .

中国专利 :CN112335048A ,2021-02-05

[4]

垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法 [P].

D·C·潘迪 ;

刘海涛 ;

K·M·考尔道 .

美国专利 :CN112447716B ,2025-01-14

[5]

垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法 [P].

D·C·潘迪 ;

刘海涛 ;

K·M·考尔道 .

中国专利 :CN112447716A ,2021-03-05

[6]

薄膜晶体管和晶体管阵列基底 [P].

金亿洙 ;

具素英 ;

金亨俊 .

韩国专利 :CN119092551A ,2024-12-06

[7]

薄膜晶体管阵列基板 [P].

游家华 ;

胡宪堂 ;

任珂锐 ;

赖瑞麒 .

中国专利 :CN104347641A ,2015-02-11

[8]

薄膜晶体管阵列面板 [P].

河载兴 ;

金锺佑 ;

文智永 ;

吴敏镐 ;

李承宰 ;

赵尹衡 ;

朱宁澈 ;

金亨俊 ;

朴殷吉 ;

韩尚辰 .

中国专利 :CN107768384A ,2018-03-06

[9]

晶体管阵列 [P].

R·克罗维斯 ;

D·杰笃斯 ;

D·恩古延－恩国 ;

K·瓦勒 .

中国专利 :CN1174492C ,2001-12-05

[10]

晶体管阵列 [P].

J·索卡特斯 ;

H·万德克邱武 .

中国专利 :CN112368852A ,2021-02-12

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