垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010909151.4

申请日：

2020-09-02

公开(公告)号：

CN112447716B

公开(公告)日：

2025-01-14

发明(设计)人：

D·C·潘迪刘海涛 K·M·考尔道

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10D84/82

IPC分类号：

H10D84/90

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-14	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法 [P].

D·C·潘迪 ;

刘海涛 ;

K·M·考尔道 .

中国专利 :CN112447716A ,2021-03-05

[2]

垂直晶体管STRAM阵列 [P].

P·N·马诺斯 ;

Y·P·金 ;

H-K·李 ;

Y·安 ;

J·金 ;

A·克利亚 ;

B·李 ;

D·斯蒂阿迪 .

中国专利 :CN102543847A ,2012-07-04

[3]

晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法 [P].

A·蒂斯 ;

K·米姆勒 .

中国专利 :CN1819205A ,2006-08-16

[4]

垂直晶体管 [P].

A·高蒂尔 ;

G·C·里贝斯 .

中国专利 :CN208045512U ,2018-11-02

[5]

晶体管阵列 [P].

R·克罗维斯 ;

D·杰笃斯 ;

D·恩古延－恩国 ;

K·瓦勒 .

中国专利 :CN1174492C ,2001-12-05

[6]

晶体管阵列 [P].

J·索卡特斯 ;

H·万德克邱武 .

中国专利 :CN112335048A ,2021-02-05

[7]

晶体管阵列 [P].

J·索卡特斯 ;

H·万德克邱武 .

中国专利 :CN112368852A ,2021-02-12

[8]

竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法 [P].

李宜芳 ;

J·古哈 ;

L·P·海内克 ;

K·M·考尔道 ;

李时雨 ;

T·B·麦克丹尼尔 ;

S·E·西里斯 ;

K·J·特雷克 ;

S-W·杨 .

中国专利 :CN113964133A ,2022-01-21

[9]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN102610612B ,2012-07-25

[10]

竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法 [P].

李宜芳 ;

J·古哈 ;

L·P·海内克 ;

K·M·考尔道 ;

李时雨 ;

T·B·麦克丹尼尔 ;

S·E·西里斯 ;

K·J·特雷克 ;

S-W·杨 .

美国专利 :CN113964133B ,2025-09-23

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