晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510128526.9

申请日：

2005-11-30

公开(公告)号：

CN1819205A

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

A·蒂斯 K·米姆勒

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L27108 H01L218239 H01L218242

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-02-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101037110972 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2005101285269 申请日:20051130 授权公告日:20090819 终止日期:20091230
2009-08-19	授权	授权
2006-08-16	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN102610612B ,2012-07-25

[2]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

小林平治 ;

永井享浩 .

中国专利 :CN102339831A ,2012-02-01

[3]

垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法 [P].

D·C·潘迪 ;

刘海涛 ;

K·M·考尔道 .

美国专利 :CN112447716B ,2025-01-14

[4]

垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法 [P].

D·C·潘迪 ;

刘海涛 ;

K·M·考尔道 .

中国专利 :CN112447716A ,2021-03-05

[5]

晶体管阵列 [P].

J·索卡特斯 ;

H·万德克邱武 .

中国专利 :CN112335048A ,2021-02-05

[6]

垂直晶体管STRAM阵列 [P].

P·N·马诺斯 ;

Y·P·金 ;

H-K·李 ;

Y·安 ;

J·金 ;

A·克利亚 ;

B·李 ;

D·斯蒂阿迪 .

中国专利 :CN102543847A ,2012-07-04

[7]

晶体管阵列 [P].

R·克罗维斯 ;

D·杰笃斯 ;

D·恩古延－恩国 ;

K·瓦勒 .

中国专利 :CN1174492C ,2001-12-05

[8]

晶体管阵列 [P].

J·索卡特斯 ;

H·万德克邱武 .

中国专利 :CN112368852A ,2021-02-12

[9]

晶体管阵列面板 [P].

具本龙 ;

卢正训 ;

金善光 ;

金莲璟 .

中国专利 :CN108336092A ,2018-07-27

[10]

晶体管阵列面板 [P].

丁有光 ;

赵炫珉 ;

裵水斌 ;

崔新逸 ;

金湘甲 .

中国专利 :CN107342294A ,2017-11-10

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