一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法

被引：0

申请号：

CN202111387283.6

申请日：

2021-11-22

公开(公告)号：

CN114361013A

公开(公告)日：

2022-04-15

发明(设计)人：

许晟瑞王心颢贠博祥卢灏刘旭徐爽张进成张金风郝跃

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

H01L29267 H01L29778

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王萌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	公开	公开
2022-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/18 申请日:20211122

共 50 条

[1]

一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

王心颢 ;

贠博祥 ;

卢灏 ;

刘旭 ;

徐爽 ;

张进成 ;

张金风 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114361013B ,2025-08-29

[2]

金刚石复合衬底、金刚石复合衬底的制备方法及GaN器件 [P].

梁剑波 .

中国专利 :CN120388885A ,2025-07-29

[3]

一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

陈堂胜 ;

吴立枢 ;

孔月婵 .

中国专利 :CN121038311A ,2025-11-28

[4]

基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法 [P].

龚子刚 ;

余海洋 ;

黄永 .

中国专利 :CN119767728B ,2025-12-02

[5]

基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法 [P].

龚子刚 ;

余海洋 ;

黄永 .

中国专利 :CN119767728A ,2025-04-04

[6]

在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法 [P].

陶涛 ;

张东祺 ;

胡文晓 ;

叶煜聪 ;

陈凯 ;

智婷 ;

刘斌 ;

谢自力 ;

张荣 .

中国专利 :CN114284132A ,2022-04-05

[7]

一种金刚石基GaN器件制备方法和金刚石基GaN器件 [P].

董鹏 ;

廖梦雅 ;

马磊 ;

杨云畅 ;

徐浩 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 .

中国专利 :CN119446900A ,2025-02-14

[8]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[9]

金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法 [P].

武玫 ;

马晓华 ;

李仕明 ;

侯斌 ;

杨凌 ;

张濛 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114551445A ,2022-05-27

[10]

一种金刚石热沉衬底GaN HEMTs制备方法 [P].

王进军 .

中国专利 :CN106504988B ,2017-03-15

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