学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法

被引：0
申请号：
CN202210090160.4
申请日：
2022-01-25
公开(公告)号：
CN114551445A
公开(公告)日：
2022-05-27
发明(设计)人：
武玫 马晓华 李仕明 侯斌 杨凌 张濛 郝跃
申请人：
申请人地址：
710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L23373 H01L218258
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
王萌
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-14 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20220125
2022-05-27 公开 公开
共 50 条
[1]
GaN HEMTs与顶层氢终端金刚石MOSFETs集成结构及其制备方法 [P]. 
武玫 ;
李仕明 ;
杨凌 ;
王平 ;
侯斌 ;
张濛 ;
吕玲 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114496934A ,2022-05-13
[2]
顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法 [P]. 
杨凌 ;
武玫 ;
李仕明 ;
侯斌 ;
王平 ;
吕玲 ;
张濛 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114551358B ,2025-06-20
[3]
顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法 [P]. 
杨凌 ;
武玫 ;
李仕明 ;
侯斌 ;
王平 ;
吕玲 ;
张濛 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114551358A ,2022-05-27
[4]
一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法 [P]. 
马晓华 ;
武玫 ;
李仕明 ;
杨凌 ;
张濛 ;
侯斌 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114497038A ,2022-05-13
[5]
一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法 [P]. 
马晓华 ;
武玫 ;
李仕明 ;
杨凌 ;
张濛 ;
侯斌 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114497038B ,2024-02-06
[6]
一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
陈堂胜 ;
吴立枢 ;
孔月婵 .
中国专利 :CN121038311A ,2025-11-28
[7]
一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法 [P]. 
许晟瑞 ;
王心颢 ;
贠博祥 ;
卢灏 ;
刘旭 ;
徐爽 ;
张进成 ;
张金风 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114361013A ,2022-04-15
[8]
一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法 [P]. 
许晟瑞 ;
王心颢 ;
贠博祥 ;
卢灏 ;
刘旭 ;
徐爽 ;
张进成 ;
张金风 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114361013B ,2025-08-29
[9]
基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
龚子刚 ;
余海洋 ;
黄永 .
中国专利 :CN119767728B ,2025-12-02
[10]
基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
龚子刚 ;
余海洋 ;
黄永 .
中国专利 :CN119767728A ,2025-04-04
12345