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一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210086830.5
申请日：
2022-01-25
公开(公告)号：
CN114497038B
公开(公告)日：
2024-02-06
发明(设计)人：
马晓华 武玫 李仕明 杨凌 张濛 侯斌 郝跃
申请人：
西安电子科技大学
申请人地址：
710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H01L27/088
IPC分类号：
H01L23/373 H01L21/8258
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
王萌
法律状态：
授权
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-02-06 授权 授权
共 50 条
[1]
一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法 [P]. 
马晓华 ;
武玫 ;
李仕明 ;
杨凌 ;
张濛 ;
侯斌 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114497038A ,2022-05-13
[2]
顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法 [P]. 
杨凌 ;
武玫 ;
李仕明 ;
侯斌 ;
王平 ;
吕玲 ;
张濛 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114551358B ,2025-06-20
[3]
顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法 [P]. 
杨凌 ;
武玫 ;
李仕明 ;
侯斌 ;
王平 ;
吕玲 ;
张濛 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114551358A ,2022-05-27
[4]
金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法 [P]. 
武玫 ;
马晓华 ;
李仕明 ;
侯斌 ;
杨凌 ;
张濛 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114551445A ,2022-05-27
[5]
一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
陈堂胜 ;
吴立枢 ;
孔月婵 .
中国专利 :CN121038311A ,2025-11-28
[6]
GaN HEMT集成器件及其制备方法 [P]. 
许明伟 ;
李海滨 ;
樊晓兵 .
中国专利 :CN112768409A ,2021-05-07
[7]
基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
龚子刚 ;
余海洋 ;
黄永 .
中国专利 :CN119767728B ,2025-12-02
[8]
基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
龚子刚 ;
余海洋 ;
黄永 .
中国专利 :CN119767728A ,2025-04-04
[9]
一种p型横向金刚石MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
王刚 ;
李成兵 .
中国专利 :CN118398666A ,2024-07-26
[10]
一种p型横向金刚石MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
王刚 ;
李成兵 .
中国专利 :CN118398666B ,2024-09-10
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