半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980100129.7

申请日：

2009-04-17

公开(公告)号：

CN101779303A

公开(公告)日：

2010-07-14

发明(设计)人：

大盐祥三谷本宪保

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊;王英

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-14	公开	公开
2011-06-15	授权	授权
2010-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005740294 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801001297 申请日:20090417

共 50 条

[1]

半导体发光器件及采用该半导体发光器件的摄影照明装置 [P].

竹川浩 .

中国专利 :CN1574404A ,2005-02-02

[2]

半导体发光器件及具有该半导体发光器件的发光器件封装 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101771125A ,2010-07-07

[3]

半导体发光器件 [P].

筒井毅 .

中国专利 :CN1471179A ,2004-01-28

[4]

半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法 [P].

尹浩相 ;

沈相均 .

中国专利 :CN101765924A ,2010-06-30

[5]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[6]

半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法 [P].

郑太逸 ;

金英采 ;

金善万 ;

韩睿志 ;

朴清勋 ;

崔炳均 ;

姜世恩 .

中国专利 :CN102956786A ,2013-03-06

[7]

双光源半导体发光器件及双光源半导体发光组件 [P].

李刚 .

中国专利 :CN208862015U ,2019-05-14

[8]

半导体发光器件、半导体发光器件的制造方法和光学装置 [P].

林伸彦 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN102782967A ,2012-11-14

[9]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[10]

半导体发光器件 [P].

长山诚 .

中国专利 :CN1674316A ,2005-09-28

← 1 2 3 4 5 →