一种在SiO2衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111157718.8

申请日：

2021-09-30

公开(公告)号：

CN113972299A

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

李国强陈胜王文樑柴吉星

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L2102 H01L31032 H01L310392 C23C1630 C23C16513

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

李君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-25	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20210930

共 50 条

[1]

一种在SiO<sub>2</sub>衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 .

中国专利 :CN113972299B ,2024-03-22

[2]

一种在非晶态SiO2衬底上生长GaN薄膜的方法 [P].

李天保 ;

刘晨阳 ;

张哲 ;

于斌 ;

贾伟 ;

余春燕 ;

董海亮 ;

贾志刚 ;

许并社 .

中国专利 :CN108428621A ,2018-08-21

[3]

一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法 [P].

牛刚 ;

代立言 ;

任巍 ;

赵金燕 ;

王延昆 ;

武和平 ;

刘逸为 ;

王玲艳 ;

史鹏 .

中国专利 :CN109898138A ,2019-06-18

[4]

一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法 [P].

冀婷 ;

冯琳 ;

张叶 .

中国专利 :CN103215643B ,2013-07-24

[5]

一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法 [P].

吴惠桢 ;

斯剑霄 ;

徐天宁 .

中国专利 :CN101236905B ,2008-08-06

[6]

一种在锗薄膜上直接外延生长钛酸钡薄膜的方法 [P].

董渊 ;

马如原 ;

钟其泽 ;

郑少南 ;

邱阳 ;

赵兴岩 ;

胡挺 .

中国专利 :CN117448956A ,2024-01-26

[7]

一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法 [P].

陈诺夫 ;

牟潇野 ;

杨博 ;

辛雅焜 ;

吴强 ;

弭辙 ;

付蕊 ;

刘虎 ;

仲琳 ;

白一鸣 ;

高征 ;

刘海 .

中国专利 :CN104157730A ,2014-11-19

[8]

一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlXGa1－XN单晶薄膜的方法 [P].

陈长清 .

中国专利 :CN1900386A ,2007-01-24

[9]

一种SiO2薄膜的制备方法及其应用 [P].

李剑锋 .

中国专利 :CN102795788A ,2012-11-28

[10]

一种多孔SiO2薄膜的制备方法 [P].

莫镜辉 ;

刘黎明 ;

杨培志 .

中国专利 :CN1974839A ,2007-06-06

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