一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810060092.7

申请日：

2008-03-05

公开(公告)号：

CN101236905B

公开(公告)日：

2008-08-06

发明(设计)人：

吴惠桢斯剑霄徐天宁

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区玉古路20号

IPC主分类号：

H01L21363

IPC分类号：

C30B2302

代理机构：

杭州中成专利事务所有限公司 33212

代理人：

盛辉地

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101243918489 IPC(主分类):H01L 21/363 专利号:ZL2008100600927 申请日:20080305 授权公告日:20101013 终止日期:20110305
2008-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-10-13	授权	授权
2008-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法 [P].

田洪军 ;

覃文治 ;

陈庆敏 ;

齐瑞峰 ;

刘源 ;

谢和平 .

中国专利 :CN114551221A ,2022-05-27

[2]

Ⅳ－Ⅵ族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法 [P].

吴惠桢 ;

斯剑霄 ;

徐天宁 ;

夏明龙 .

中国专利 :CN101106092A ,2008-01-16

[3]

在半导体衬底上制备量子环结构的方法 [P].

周慧英 ;

曲胜春 ;

金鹏 ;

徐波 ;

王赤云 ;

刘俊朋 ;

王占国 .

中国专利 :CN101241849B ,2008-08-13

[4]

一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的生长装置 [P].

吴惠桢 ;

斯剑霄 ;

夏明龙 ;

徐天宁 .

中国专利 :CN101100763A ,2008-01-09

[5]

一种IIIA‑VA族半导体单晶衬底及其制备方法 [P].

莫里斯·杨 ;

戴维斯·张 ;

刘文森 ;

王元立 .

中国专利 :CN103361735B ,2013-10-23

[6]

一种在SiO2衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 .

中国专利 :CN113972299A ,2022-01-25

[7]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[8]

在异质衬底上制作晶体半导体薄膜的方法 [P].

A·阿伯利 ;

P·I·怀登伯格 ;

A·斯特劳布 ;

D－H·纽豪斯 ;

O·哈特利 ;

N－P·哈德 .

中国专利 :CN1720356A ,2006-01-11

[9]

立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 [P].

潘东 ;

赵建华 .

中国专利 :CN105405745A ,2016-03-16

[10]

一种在SiO<sub>2</sub>衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 .

中国专利 :CN113972299B ,2024-03-22

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