一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法

被引：0

申请号：

CN202111619653.4

申请日：

2021-12-27

公开(公告)号：

CN114551221A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

田洪军覃文治陈庆敏齐瑞峰刘源谢和平

申请人：

申请人地址：

610041 四川省成都市武侯区人民南路四段七号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中国兵器工业集团公司专利中心 11011

代理人：

刘二格

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20211227
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种在半导体衬底上制备双层氮化硅薄膜的方法 [P].

张欣 ;

何胜 ;

赵福祥 ;

金起弘 .

中国专利 :CN107275190A ,2017-10-20

[2]

一种在衬底表面制备氮化硅薄膜的方法 [P].

刘田鹏 ;

黄传淮 ;

冯仲军 ;

易光远 .

中国专利 :CN120818809A ,2025-10-21

[3]

一种氮化硅薄膜制备方法 [P].

傅剑宇 ;

尚海平 ;

刘瑞文 ;

李志刚 ;

王玮冰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN107749394A ,2018-03-02

[4]

在衬底沟槽中沉积氮化硅薄膜的方法 [P].

A·努尔希达亚蒂 ;

M·阿雷德鲁斯 ;

A·塞蒂亚迪 .

:CN120649008A ,2025-09-16

[5]

氮化硅薄膜去除方法及半导体器件的制作方法 [P].

纪世良 ;

张海洋 .

中国专利 :CN107403725A ,2017-11-28

[6]

在氮化物半导体上沉积氮化硅（SiN）膜的方法 [P].

住吉和英 .

中国专利 :CN108695139A ,2018-10-23

[7]

氮化硅层的制备方法及半导体器件 [P].

许浩宁 ;

李进一 .

中国专利 :CN118610074A ,2024-09-06

[8]

一种氮化物半导体衬底的制备方法、半导体衬底及半导体器件 [P].

程凯 .

中国专利 :CN118367013A ,2024-07-19

[9]

一种氮化硅薄膜及其制备方法与半导体器件 [P].

刘田鹏 ;

刘丹 ;

穆洪杨 ;

季润梅 .

中国专利 :CN120400795A ,2025-08-01

[10]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

李展信 .

中国专利 :CN103924212A ,2014-07-16

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