氮化硅薄膜去除方法及半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610340628.5

申请日：

2016-05-19

公开(公告)号：

CN107403725A

公开(公告)日：

2017-11-28

发明(设计)人：

纪世良张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟;张建

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-28	公开	公开
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20160519
2021-10-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/311 申请公布日:20171128

共 50 条

[1]

氮化硅层的制备方法及半导体器件 [P].

许浩宁 ;

李进一 .

中国专利 :CN118610074A ,2024-09-06

[2]

薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112331554A ,2021-02-05

[3]

去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法 [P].

黄敬勇 ;

钟鑫生 ;

朱海波 ;

方文强 .

中国专利 :CN101587836A ,2009-11-25

[4]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520A ,2024-05-03

[5]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520B ,2024-06-21

[6]

半导体器件的制作方法 [P].

王国华 ;

吴汉明 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101777494B ,2010-07-14

[7]

氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法 [P].

前川慎志 ;

挂端哲弥 ;

竹原裕一 .

中国专利 :CN1577767A ,2005-02-09

[8]

氮化硅薄膜及MIM电容的制作方法 [P].

雷天飞 ;

秦仁刚 .

中国专利 :CN105336574B ,2016-02-17

[9]

氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置 [P].

森崎仁史 ;

神谷保志 ;

野村秀二 ;

户塚正裕 ;

奥友希 ;

服部亮 .

中国专利 :CN100413036C ,2003-11-05

[10]

包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件 [P].

熊文娟 ;

李俊峰 ;

贺晓彬 ;

蒋浩杰 ;

胡彦鹏 ;

王桂磊 ;

杨涛 ;

亨利·H·阿达姆松 ;

王文武 .

中国专利 :CN108922846A ,2018-11-30

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