氮化硅清洗方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410339420.6

申请日：

2024-03-25

公开(公告)号：

CN117976520A

公开(公告)日：

2024-05-03

发明(设计)人：

欧阳文森王胜林

申请人：

粤芯半导体技术股份有限公司

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/311 H01L21/762 B08B3/02

代理机构：

北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884

代理人：

陈照辉

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-21	授权	授权
2024-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20240325
2024-05-03	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520B ,2024-06-21

[2]

氮化硅波导及其制备方法和半导体器件 [P].

杜晓阳 ;

汪巍 ;

涂芝娟 ;

王白银 ;

陈旭 .

中国专利 :CN118033818A ,2024-05-14

[3]

氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法 [P].

前川慎志 ;

挂端哲弥 ;

竹原裕一 .

中国专利 :CN1577767A ,2005-02-09

[4]

氮化硅层的制备方法及半导体器件 [P].

许浩宁 ;

李进一 .

中国专利 :CN118610074A ,2024-09-06

[5]

氮化硅膜和半导体器件的制造方法 [P].

刘建强 ;

刘金涛 ;

闫峰 ;

侯文荣 .

中国专利 :CN110120343A ,2019-08-13

[6]

用于半导体器件的多层氮化硅沉积 [P].

库尔特·H·琼克 ;

保罗·A·格鲁德斯基 ;

薄向征 ;

骆典应 .

中国专利 :CN101584030A ,2009-11-18

[7]

用于半导体器件应用的氮化硅膜 [P].

基思·福克斯 ;

牛冬 ;

约瑟夫·L·沃马克 ;

曼迪亚姆·斯利拉姆 ;

乔治·安德鲁·安东内利 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

詹妮弗·欧洛克林 .

中国专利 :CN104220637A ,2014-12-17

[8]

形成双应力氮化硅层的方法及半导体器件 [P].

张瑜 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN118263108A ,2024-06-28

[9]

氮化硅薄膜去除方法及半导体器件的制作方法 [P].

纪世良 ;

张海洋 .

中国专利 :CN107403725A ,2017-11-28

[10]

形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

住吉和英 ;

冈田政也 ;

井上和孝 ;

米村卓巳 .

中国专利 :CN112447536A ,2021-03-05

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