氮化硅膜和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810118984.1

申请日：

2018-02-06

公开(公告)号：

CN110120343A

公开(公告)日：

2019-08-13

发明(设计)人：

刘建强刘金涛闫峰侯文荣

申请人：

申请人地址：

300385 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	公开	公开
2021-10-01	授权	授权
2019-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/318 申请日:20180206

共 50 条

[1]

氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法 [P].

前川慎志 ;

挂端哲弥 ;

竹原裕一 .

中国专利 :CN1577767A ,2005-02-09

[2]

形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

住吉和英 ;

冈田政也 ;

井上和孝 ;

米村卓巳 .

中国专利 :CN112447536A ,2021-03-05

[3]

用于半导体器件应用的氮化硅膜 [P].

基思·福克斯 ;

牛冬 ;

约瑟夫·L·沃马克 ;

曼迪亚姆·斯利拉姆 ;

乔治·安德鲁·安东内利 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

詹妮弗·欧洛克林 .

中国专利 :CN104220637A ,2014-12-17

[4]

低介电氮化硅膜的形成方法和半导体器件及其制造工艺 [P].

郑基市 .

中国专利 :CN100431110C ,2003-10-01

[5]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520A ,2024-05-03

[6]

氮化硅清洗方法及半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117976520B ,2024-06-21

[7]

一种氮化硅膜及其沉积方法、半导体器件 [P].

李相遇 ;

安重镒 ;

金成基 ;

项金娟 ;

李亭亭 ;

刘青 .

中国专利 :CN111900075A ,2020-11-06

[8]

形成氮化硅（SiN）膜和具有SiN膜的半导体器件的方法 [P].

住吉和英 .

中国专利 :CN109881177B ,2019-06-14

[9]

氮化硅波导及其制备方法和半导体器件 [P].

杜晓阳 ;

汪巍 ;

涂芝娟 ;

王白银 ;

陈旭 .

中国专利 :CN118033818A ,2024-05-14

[10]

氮化硅膜的制造方法 [P].

王湘莹 ;

杨能辉 ;

林焕顺 .

中国专利 :CN1828848A ,2006-09-06

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